春山純志理工学部准教授の研究グループが「原子一個の薄さの磁石」の創製に成功


春山純志理工学部准教授(大学院理工学研究科・機能物質創製コース)の研究グループが「グラフェン磁石」の創製に成功しました。

「グラフェン」は炭素原子一個の薄さの究極の薄膜で、昨年ノーベル物理学賞を受賞した今世界で最もホットな物質の一つです。「グラフェン磁石」は、このグラフェンに春山研究室独自の方法で、低欠陥・低汚染で六角形細孔を蜂の巣状にあけて水素雰囲気中で熱処理することで実現されました。細孔の端が持つユニークな電子状態がこの原因だと考えられています。磁性元素を一切使っていないのにグラフェンが磁石になる、という驚くべき発見です。

この発見によって、今後、希少元素フリーで環境に優しい炭素原子一層からなる「超軽量・フレキシブル透明磁石」の開発や新規スピン物性現象・次世代スピン素子の研究の進展が期待されるとともに、超高性能トランジスタ・透明導電膜(iPodなどのタッチパネルなど)への応用研究への発展も見込まれます。

なお、この研究成果は、米国物理学会誌『Physical Review Letters』107, 217203 (2011年11月: オンライン速報)、米国物理協会誌『Applied Physics Letters』99, 183111 (2011年11月)、Institute of Physics, News Letter 『Nanotech Web』、大学プレスセンター、に掲載されています。
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