理工学部化学・生命科学科 重里有三研究室のメンバーが、12月1日～5日にボストンで開催されたアメリカ物質科学会秋季大会(Materials Research Society　(MRS), Fall Meeting)でベストポスター講演賞を受賞し、MRSから副賞が贈られました。
今回受賞した研究は青山学院大学とキヤノン株式会社先端技術研究所との2年間にわたる産学共同研究の成果であり、中心となって実験・研究を行った青井孝史さん(理工学研究科博士前期課程1年)をはじめ、渡邉大輔さん(博士前期課程2年)、岡伸人さん(博士研究員)、佐藤泰史 助教、重里有三 教授とキヤノン先端技術研究所のメンバーである林亮氏、雲見秀也氏の7名が共同で受賞しました。

本研究は、最新の酸化物半導体薄膜であるアモルファス酸化インジウムガリウム亜鉛（a-IGZO）に関するものであり、a-IGZOの特殊なスパッタリング成膜と詳細な物性解析を行ったうえで、 薄膜トランジスタ（TFT）デバイスを作製し、それらの素子特性を明らかにしたことが評価されました。今回、理工学研究科からは5名の大学院生が参加し、合計8件の研究発表を行いま したが、すべての講演で活発な討論が行われこの研究分野における青山学院大学の総合力が高く評価されました。