理工学部電気電子工学科澤邊厚仁教授の研究グループが並木精密宝石（株）と双方の独自技術を用いることにより30ミリメートル角の単結晶ダイヤモンド基板の製造技術を共同開発しました。

ダイヤモンド製の半導体素子用基板は、高電圧に耐えられ、かつ熱伝導率が物質中最高値を示すなど数多くの特異な性質を有するにも関わらず、大型化をするのが難しく、澤邊研究室が開発したイリジウムという貴金属表面に作製した直径25mmのものがダイヤモンド以外の下地表面に作製する場合最大のものでした。その成果を元に澤邊研究室と並木精密宝石（株）では、並木精密宝石独自のダイヤモンド微細加工技術を取り入れる事で成長するダイヤモンド下地との間に発生するひずみを解消し、反りやクラックの無い30ミリメートル角のダイヤモンド基板を製造する技術の開発に成功しました。

並木精密宝石は、2016年4月より本学と共同開発した技術を用いて単結晶ダイヤモンド基板の生産を始めます。今後ダイヤモンド基板は究極の電力変換素子をはじめ、様々な分野での活用が期待されます。