2026年1月13日（火）〜1月15日（木）、大阪南港ATC O’s棟にて開催された「レーザー学会学術講演会第46回年次大会」の一般公演において、千代尚哉さん（理工学研究科 電気電子工学コース 博士前期課程2年・光量子エレクトロニクス研究室所属）が「論文発表奨励賞」を受賞しました。

研究概要

論文発表タイトル：高積層QD-SOAにおける自己発熱の影響

著者/発表者：千代 尚哉，松本 敦，中島 慎也，梅沢 俊匡，赤羽 浩一，前田 智弘，外林 秀之

量子ドット半導体光増幅器 (QD-SOA)は半導体光増幅器 (SOA)特有の小型かつ高い集積性という特徴を持ちつつ、従来の課題だった利得回復速度が量子ドット (QD)により向上することが知られています。QD-SOAの実用化のためにはQD層の多層積層による高利得化が不可欠であり、歪補償技術を用いて高積層QD-SOAを作製してきました。しかし、高積層QD-SOAでは自己発熱に起因した性能劣化が課題として存在しています。この課題に対し本研究では、発光特性を評価することで素子内の発熱量を推定し、熱抵抗という形で定量的に評価、性能向上に向けての方針を示しました。

本研究は国立研究開発法人情報通信研究機構との共同研究であり、JST CRONOS (情報通信科学・イノベーション創出基盤事業)(PMJCS24N4)、JST Aspire (JPMJAP2324) 、および ATLA安全保障技術研究推進制度 (JPJ004569)の支援によるものです。また、先端ICTデバイス研究開発推進センターの開発支援を受けました。

指導教員からのコメント

外林秀之教授（理工学部 電気電子工学科）

このたびの受賞は、「オール光ネットワーク」を実現するための重要な研究成果が対象であり、千代君が主体的かつ根を詰めて研究を進めてきた結果が評価された素晴らしいものです。